SQR70090ELR_GE3
MOSFET N-CH 100V 86A DPAK
НОВА часть #:
312-2291632-SQR70090ELR_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQR70090ELR_GE3
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 86A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D-PAK (TO-252) | |
| Базовый номер продукта | SQR70090 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 86A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 65 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3500 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 136W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SQR70090ELR_GE3CT 742-SQR70090ELR_GE3DKR SQR70090ELR_GE3-ND 742-SQR70090ELR_GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDD86369onsemi
BSC0805LSATMA1Infineon Technologies
TK60S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
SQJA90EP-T1_GE3Vishay Siliconix
FDWS86068-F085onsemi
SQJQ910EL-T1_GE3Vishay Siliconix
SQD50N10-8M9L_GE3Vishay Siliconix- SQJA80EP-T1_GE3Vishay Siliconix
TSM70N10CP ROGTaiwan Semiconductor Corporation
XPW4R10ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and Storage
SIR668ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
SUD35N10-26P-GE3Vishay Siliconix- IRFR3410TRPBFInfineon Technologies
DI100N10PQDiotec Semiconductor
SQR40N10-25_GE3Vishay Siliconix
