SQD50N10-8M9L_GE3
MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
НОВА часть #:
312-2282435-SQD50N10-8M9L_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQD50N10-8M9L_GE3
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | SQD50 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 50A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 70 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2950 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 136W (Tc) | |
| Другие имена | SQD50N10-8M9L_GE3TR SQD50N10-8M9L_GE3DKR SQD50N10-8M9L_GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPD70N10S3L12ATMA1Infineon Technologies
SUD70090E-GE3Vishay Siliconix
SUD50P10-43L-GE3Vishay Siliconix
TK60S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage- SQD40P10-40L_GE3Vishay Siliconix
- TK33S10N1L,LQToshiba Semiconductor and Storage
AOD66923Alpha & Omega Semiconductor Inc.- SQD70140EL_GE3Vishay Siliconix
SSM3K123TU,LFToshiba Semiconductor and Storage- IPD50N10S3L16ATMA1Infineon Technologies
- TK33S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
SQR70090ELR_GE3Vishay Siliconix