FDD86369

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 80V 90A DPAK

НОВА часть #:

312-2282448-FDD86369

Производитель:

Номер детали производителя:

FDD86369

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

N-Channel 80 V 90A (Tc) 150W (Tj) Surface Mount D-PAK (TO-252)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	D-PAK (TO-252)
Базовый номер продукта	FDD863
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	90A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	54 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	80 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2530 pF @ 40 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	150W (Tj)
Другие имена	FDD86369OSDKR FDD86369-ND FDD86369OSTR FDD86369OSCT