SIR668ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 93.6A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2279504-SIR668ADP-T1-RE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIR668ADP-T1-RE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 93.6A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SIR668 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® Gen IV | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 93.6A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 81 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3750 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 104W (Tc) | |
| Другие имена | SIR668ADP-T1-RE3DKR SIR668ADP-T1-RE3CT SIR668ADP-T1-RE3TR |
In stock Нужно больше?
1,13910 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SIR870ADP-T1-GE3Vishay Siliconix
SIDR870ADP-T1-GE3Vishay Siliconix
BSZ075N08NS5ATMA1Infineon Technologies
LTC4371IDD#PBFAnalog Devices Inc.- BSC061N08NS5ATMA1Infineon Technologies
SIJ478DP-T1-GE3Vishay Siliconix- SIR104ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
MCAC80N10Y-TPMicro Commercial Co
SIR668DP-T1-RE3Vishay Siliconix
IAUC100N10S5N040ATMA1Infineon Technologies- SIR170DP-T1-RE3Vishay Siliconix
SQR70090ELR_GE3Vishay Siliconix
SQJQ410EL-T1_GE3Vishay Siliconix