XPW4R10ANB,L1XHQ
MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
НОВА часть #:
312-2281485-XPW4R10ANB,L1XHQ
Производитель:
Номер детали производителя:
XPW4R10ANB,L1XHQ
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 70A 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-DSOP Advance | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 70A | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 35A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 75 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | Стандартный | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4970 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 170W (Tc) | |
| Другие имена | 264-XPW4R10ANB,L1XHQDKR 264-XPW4R10ANB,L1XHQTR 264-XPW4R10ANB,L1XHQCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
7V-10.000MAKV-TTXC CORPORATION
CDBHD240-GComchip Technology
BC816-16WFNexperia USA Inc.
XPH4R10ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and Storage
RQ5L015SPTLRohm Semiconductor
SZNUD3160LT1Gonsemi
DRV8350FHRTVRTexas Instruments
INA240A3EDRQ1Texas Instruments
SQJQ112E-T1_GE3Vishay Siliconix- SN65HVD11QDRTexas Instruments
TXU0104PWRTexas Instruments
