BSC0805LSATMA1
100V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL,
НОВА часть #:
312-2313711-BSC0805LSATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC0805LSATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 79A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-6 | |
| Базовый номер продукта | BSC0805 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ 5 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 79A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 40A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.3V @ 49µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 20 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2700 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 83W (Tc) | |
| Другие имена | SP001861048 448-BSC0805LSATMA1CT 448-BSC0805LSATMA1DKR 448-BSC0805LSATMA1TR |
In stock Нужно больше?
0,85600 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSC070N10LS5ATMA1Infineon Technologies
HUF76639S3ST-F085Fairchild Semiconductor
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon Technologies- BSC066N06NSATMA1Infineon Technologies
FDWS86068-F085onsemi- BSC026N08NS5ATMA1Infineon Technologies
MCAC80N10Y-TPMicro Commercial Co- BSC096N10LS5ATMA1Infineon Technologies
- BSC146N10LS5ATMA1Infineon Technologies
- BSC065N06LS5ATMA1Infineon Technologies
DI100N10PQDiotec Semiconductor- BSC0802LSATMA1Infineon Technologies
- BSC0804LSATMA1Infineon Technologies
IAUC100N10S5N040ATMA1Infineon Technologies
SQR70090ELR_GE3Vishay Siliconix
