SUD35N10-26P-GE3
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
НОВА часть #:
312-2290537-SUD35N10-26P-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SUD35N10-26P-GE3
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | SUD35 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 35A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 7V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 12A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 47 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2000 pF @ 12 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 8.3W (Ta), 83W (Tc) | |
| Другие имена | SUD35N10-26P-GE3TR SUD35N10-26P-GE3DKR SUD35N10-26P-GE3CT SUD35N1026PGE3 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
AOD4126Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AUIRLR120NTRLInfineon Technologies
SUD35N10-26P-E3Vishay Siliconix
FDD3672onsemi
FDD86102onsemi- FDD86102LZonsemi
- IXFY36N20X3IXYS
- FDD3860onsemi
- SUD35N10-26P-BE3Vishay Siliconix
DMT10H015LK3-13Diodes Incorporated
SQR70090ELR_GE3Vishay Siliconix
