SQJQ910EL-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8
НОВА часть #:
303-2250257-SQJQ910EL-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQJQ910EL-T1_GE3
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A (Tc) 187W Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 8 x 8 Dual | |
| Базовый номер продукта | SQJQ910 | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 8 x 8 Dual | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 70A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 58nC @ 10V | |
| Полевой транзистор | Стандартный | |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2832pF @ 50V | |
| Мощность - Макс. | 187W | |
| Другие имена | SQJQ910EL-T1_GE3DKR SQJQ910EL-T1_GE3-ND SQJQ910EL-T1_GE3TR SQJQ910EL-T1_GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- SQJ958EP-T1_GE3Vishay Siliconix
- CSTNE16M0V530000R0Murata Electronics
- SQJQ906EL-T1_GE3Vishay Siliconix
- SQJQ980EL-T1_GE3Vishay Siliconix
- SQJQ960EL-T1_GE3Vishay Siliconix
- FDMD8680onsemi
- PSMN4R2-40VSHXNexperia USA Inc.
- MMBTA06-HFComchip Technology
- A3921KLPTR-TAllegro MicroSystems
- SQJ980AEP-T1_GE3Vishay Siliconix
- SQJ974EP-T1_GE3Vishay Siliconix
- IN-S63BT5BInolux
- SQJB60EP-T1_GE3Vishay Siliconix






