DI100N10PQ
MOSFET N-CH 100V 100A 8QFN
НОВА часть #:
312-2267601-DI100N10PQ
Производитель:
Номер детали производителя:
DI100N10PQ
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount 8-QFN (5x6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diotec Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-QFN (5x6) | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 64 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3400 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 250W (Tc) | |
| Другие имена | 2721-DI100N10PQTR 2796-DI100N10PQTR 2721-DI100N10PQ |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SIDR870ADP-T1-GE3Vishay Siliconix
MCAC50N10Y-TPMicro Commercial Co
BSC0805LSATMA1Infineon Technologies
FDWS86068-F085onsemi
DMN65D8LQ-7Diodes Incorporated
FDMS86150ET100onsemi- DDTC114ECA-7-FDiodes Incorporated
FDBL0210N80onsemi
BSC0302LSATMA1Infineon Technologies
NVMFS6B05NLT1Gonsemi- MCAC80N10Y-TPMicro Commercial Co
- BSC0802LSATMA1Infineon Technologies
IAUC100N10S5N040ATMA1Infineon Technologies