TPH2R306NH1,LQ
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
НОВА часть #:
312-2296259-TPH2R306NH1,LQ
Производитель:
Номер детали производителя:
TPH2R306NH1,LQ
Стандартный пакет:
5,000
N-Channel 60 V 136A (Tc) 800mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOP Advance (5x5.75) | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSVIII-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 136A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 72 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6100 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 800mW (Ta), 170W (Tc) | |
| Другие имена | 264-TPH2R306NH1LQDKR TPH2R306NH1,LQ(M 264-TPH2R306NH1,LQTR 264-TPH2R306NH1LQCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMTH6002LPS-13Diodes Incorporated
SIDR626DP-T1-GE3Vishay Siliconix
TPH1R306PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
SIR180DP-T1-RE3Vishay Siliconix
NTMTS001N06CLTXGonsemi
BSC012N06NSATMA1Infineon Technologies
TPH1R306PL1,LQToshiba Semiconductor and Storage
FDMS86350onsemi
XPH3R206NC,L1XHQToshiba Semiconductor and Storage
TPH2R306NH,L1QToshiba Semiconductor and Storage
UCC27201DTexas Instruments- FDMS86550ET60onsemi
- TPH3R70APL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
- TPH2R408QM,L1QToshiba Semiconductor and Storage
BSC022N04LS6ATMA1Infineon Technologies