BSC022N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
НОВА часть #:
312-2276808-BSC022N04LS6ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC022N04LS6ATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 27A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-1 | |
| Базовый номер продукта | BSC022 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 27A (Ta), 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 28 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1900 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3W (Ta), 79W (Tc) | |
| Другие имена | BSC022N04LS6ATMA1DKR BSC022N04LS6ATMA1TR SP001720024 BSC022N04LS6ATMA1CT BSC022N04LS6ATMA1-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SBRT5A50SA-13Diodes Incorporated
REF2030AIDDCRTexas Instruments
LT1716IS5#TRMPBFAnalog Devices Inc.
BSC022N04LSATMA1Infineon Technologies
UCC27282QDRCRQ1Texas Instruments
BSZ024N04LS6ATMA1Infineon Technologies
SN74HCS09QPWRQ1Texas Instruments- BSC059N04LS6ATMA1Infineon Technologies
BAS7004WH6327XTSA1Infineon Technologies
LMV339IPTSTMicroelectronics
ECS-271.2-10-37-CKM-TRECS Inc.
