TPH3R70APL,L1Q
MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP
НОВА часть #:
312-2287995-TPH3R70APL,L1Q
Производитель:
Номер детали производителя:
TPH3R70APL,L1Q
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 175°C | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOP Advance (5x5) | |
| Базовый номер продукта | TPH3R70 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSIX-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 90A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 45A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 67 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6300 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 960mW (Ta), 170W (Tc) | |
| Другие имена | 264-TPH3R70APLL1QTR TPH3R70APL,L1Q(M 264-TPH3R70APLL1QDKR 264-TPH3R70APLL1QCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TPH2R306NH1,LQToshiba Semiconductor and Storage
BUK964R8-60E,118Nexperia USA Inc.
TPH4R50ANH,L1QToshiba Semiconductor and Storage
ZXCT1107SA-7Diodes Incorporated
TPH1R306PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage- XPH4R10ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and Storage
FDWS86068-F085onsemi
FDMS86350onsemi
TJ60S06M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage- TPH4R10ANL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
IAUC100N10S5N040ATMA1Infineon Technologies- TPH2R408QM,L1QToshiba Semiconductor and Storage