BSC012N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8
НОВА часть #:
312-2283313-BSC012N06NSATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC012N06NSATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 36A (Ta), 306A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TSON-8-3 | |
| Базовый номер продукта | BSC012 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 36A (Ta), 306A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.3V @ 147µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 143 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 11000 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 214W (Tc) | |
| Другие имена | BSC012N06NSATMA1DKR SP001645312 BSC012N06NSATMA1TR BSC012N06NSATMA1-ND BSC012N06NSATMA1CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSS84PH6433XTMA1Infineon Technologies
TPH2R306NH1,LQToshiba Semiconductor and Storage
LTC6244IMS8#PBFAnalog Devices Inc.
DMTH6002LPS-13Diodes Incorporated
NC7SVU04P5Xonsemi
MBRA160T3Gonsemi
BSC014N06NSTATMA1Infineon Technologies- BSC016N06NSTATMA1Infineon Technologies
SN74LV1T34DCKRTexas Instruments
STPS30M60DJF-TRSTMicroelectronics- BSC016N06NSATMA1Infineon Technologies
SI7461DP-T1-GE3Vishay Siliconix
