TPH2R306NH,L1Q
MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
НОВА часть #:
312-2292467-TPH2R306NH,L1Q
Производитель:
Номер детали производителя:
TPH2R306NH,L1Q
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 1.6W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOP Advance (5x5) | |
| Базовый номер продукта | TPH2R306 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSVIII-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 60A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 72 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6100 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.6W (Ta), 78W (Tc) | |
| Другие имена | TPH2R306NHL1QDKR TPH2R306NH,L1Q(M TPH2R306NHL1QTR TPH2R306NHL1QCT |
In stock Нужно больше?
0,97530 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TPH2R306NH1,LQToshiba Semiconductor and Storage