TPH1R306PL1,LQ
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
НОВА часть #:
312-2294625-TPH1R306PL1,LQ
Производитель:
Номер детали производителя:
TPH1R306PL1,LQ
Стандартный пакет:
5,000
N-Channel 60 V 100A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 175°C | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOP Advance (5x5.75) | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSIX-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.34mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 91 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 8100 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 960mW (Ta), 210W (Tc) | |
| Другие имена | 264-TPH1R306PL1LQTR 264-TPH1R306PL1LQCT 264-TPH1R306PL1LQDKR TPH1R306PL1,LQ(M |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TPH2R306NH1,LQToshiba Semiconductor and Storage
TPH1R306P1,L1QToshiba Semiconductor and Storage- TPH1R306PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
BSC012N06NSATMA1Infineon Technologies