TPH2R408QM,L1Q
MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
НОВА часть #:
312-2279424-TPH2R408QM,L1Q
Производитель:
Номер детали производителя:
TPH2R408QM,L1Q
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 3W (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 175°C | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOP Advance (5x5) | |
| Базовый номер продукта | TPH2R408 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSX-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 120A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.43mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 87 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 8300 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3W (Ta), 210W (Tc) | |
| Другие имена | 264-TPH2R408QML1QTR 264-TPH2R408QML1QCT 264-TPH2R408QML1QDKR TPH2R408QM,L1Q(M |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TPH2R306NH1,LQToshiba Semiconductor and Storage
TPH2R608NH,L1QToshiba Semiconductor and Storage
TJA1042TK/3,118NXP USA Inc.
NTMFS5C612NLT1Gonsemi- TPH3R70APL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
STL120N8F7STMicroelectronics