SIR180DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK
НОВА часть #:
312-2264244-SIR180DP-T1-RE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIR180DP-T1-RE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 32.4A (Ta), 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SIR180 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® Gen IV | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 32.4A (Ta), 60A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.05mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.6V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 87 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4030 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) | |
| Другие имена | SIR180DP-T1-RE3DKR SIR180DP-T1-RE3TR SIR180DP-RE3 SIR180DP-T1-RE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TPH2R306NH1,LQToshiba Semiconductor and Storage
SIDR626DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SIR626DP-T1-RE3Vishay Siliconix
NTMTS001N06CLTXGonsemi
SIJ188DP-T1-GE3Vishay Siliconix- SIJ186DP-T1-GE3Vishay Siliconix
- SQJA00EP-T1_GE3Vishay Siliconix
SIR186LDP-T1-RE3Vishay Siliconix
AONS66612Alpha & Omega Semiconductor Inc.
SIDR626LDP-T1-RE3Vishay Siliconix
SIR626ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
FDMS86550ET60onsemi- SIR670DP-T1-GE3Vishay Siliconix