FDMS86550ET60
MOSFET N-CH 60V 32A/245A POWER56
НОВА часть #:
312-2272796-FDMS86550ET60
Производитель:
Номер детали производителя:
FDMS86550ET60
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 32A (Ta), 245A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (5x6) | |
| Базовый номер продукта | FDMS86550 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 32A (Ta), 245A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 8V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.65mOhm @ 32A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 154 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 8235 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.3W (Ta), 187W (Tc) | |
| Другие имена | FDMS86550ET60CT FDMS86550ET60DKR FDMS86550ET60TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TPH2R306NH1,LQToshiba Semiconductor and Storage
FDMS86550onsemi- FDMS86350ET80onsemi
SIDR626DP-T1-GE3Vishay Siliconix
BSC014N06NSATMA1Infineon Technologies
IAUC120N06S5N017ATMA1Infineon Technologies
AONS66612Alpha & Omega Semiconductor Inc.
SIDR626LDP-T1-RE3Vishay Siliconix
BSC014N06NSSCATMA1Infineon Technologies
BSC016N06NSTATMA1Infineon Technologies- BSC016N06NSATMA1Infineon Technologies
FDMS86500DConsemi
