FDD3672
MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
НОВА часть #:
312-2282235-FDD3672
Производитель:
Номер детали производителя:
FDD3672
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 6.5A (Ta), 44A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | FDD367 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | UltraFET™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 6.5A (Ta), 44A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 44A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 36 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1710 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 135W (Tc) | |
| Другие имена | FDD3672CT FDD3672DKR FDD3672TR 2156-FDD3672-OS 2156-FDD3672-NXP ONSONSFDD3672 FDD3672-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IRFR4105TRPBFInfineon Technologies
STD40NF10STMicroelectronics
BUK7227-100B,118Nexperia USA Inc.- FDD3690onsemi
SUM90P10-19L-E3Vishay Siliconix
FDB2552onsemi
SUD35N10-26P-E3Vishay Siliconix
FDD86102LZonsemi- IXTY44N10TIXYS
- SUD35N10-26P-GE3Vishay Siliconix
- FDD3860onsemi
- STD25NF10LT4STMicroelectronics
