FDD3860
MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
НОВА часть #:
312-2287986-FDD3860
Производитель:
Номер детали производителя:
FDD3860
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 6.2A (Ta) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | FDD386 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 6.2A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 5.9A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 31 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1740 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.1W (Ta), 69W (Tc) | |
| Другие имена | FDD3860TR 2156-FDD3860-OS FDD3860CT FDD3860DKR ONSONSFDD3860 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IRFR4105TRPBFInfineon Technologies
RSD201N10TLRohm Semiconductor- FDD3690onsemi
- IRFR3410TRLPBFInfineon Technologies
BUK9240-100A,118Nexperia USA Inc.
AUIRLR120NTRLInfineon Technologies
STD25N10F7STMicroelectronics- FDD3672onsemi
FDD86102LZonsemi
SUD35N10-26P-GE3Vishay Siliconix- IRFR3410TRPBFInfineon Technologies
- SQD25N15-52_GE3Vishay Siliconix
- STD25NF10LT4STMicroelectronics
DMT10H015LK3-13Diodes Incorporated
