DMT10H015LK3-13
MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
НОВА часть #:
312-2275060-DMT10H015LK3-13
Производитель:
Номер детали производителя:
DMT10H015LK3-13
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 2.9W (Ta) Surface Mount TO-252-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252-3 | |
| Базовый номер продукта | DMT10 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 50A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 33.3 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1871 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.9W (Ta) | |
| Другие имена | DMT10H015LK3-13DITR DMT10H015LK3-13DICT DMT10H015LK3-13DIDKR DMT10H015LK3-13-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDD86381-F085onsemi
NTAT6H406NT4Gonsemi
IPD122N10N3GATMA1Infineon Technologies- IRFR3710ZTRPBFInfineon Technologies
BUK768R1-100E,118Nexperia USA Inc.
CSD19537Q3Texas Instruments
AOD66923Alpha & Omega Semiconductor Inc.
BUK6215-75C,118NXP Semiconductors- IXFY36N20X3IXYS
SQD25N15-52_GE3Vishay Siliconix
TK55S10N1,LQToshiba Semiconductor and Storage
IAUC100N10S5N040ATMA1Infineon Technologies
SQR40N10-25_GE3Vishay Siliconix
SQR70090ELR_GE3Vishay Siliconix