IXFY36N20X3
MOSFET N-CH 200V 36A TO252AA
НОВА часть #:
312-2263390-IXFY36N20X3
Производитель:
Номер детали производителя:
IXFY36N20X3
Стандартный пакет:
70
Технический паспорт:
N-Channel 200 V 36A (Tc) 176W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | IXFY36 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HiPerFET™, Ultra X3 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 36A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 18A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 500µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1425 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 176W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- SUD80460E-GE3Vishay Siliconix
- FDD18N20LZonsemi
- FDD86252onsemi
- BUK98180-100A/CUXNexperia USA Inc.
- SQM60N20-35_GE3Vishay Siliconix
- PHB33NQ20T,118Nexperia USA Inc.
- IPD320N20N3GATMA1Infineon Technologies
- IPD600N25N3GATMA1Infineon Technologies
- FDD86250-F085onsemi
- SUD90330E-GE3Vishay Siliconix
- FQD18N20V2TMonsemi
- TLV431CSN1T1Gonsemi
- SQD25N15-52_GE3Vishay Siliconix
- IXFY26N30X3IXYS







