SUD35N10-26P-E3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-252AA
Базовый номер продукта	SUD35
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	35A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	47 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2000 pF @ 12 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	8.3W (Ta), 83W (Tc)
Другие имена	SUD35N10-26P-E3DKR SUD35N10-26P-E3CT SUD35N10-26P-E3TR SUD35N10-26P-E3-ND

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!