TP65H480G4JSG-TR
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
НОВА часть #:
312-2264341-TP65H480G4JSG-TR
Производитель:
Номер детали производителя:
TP65H480G4JSG-TR
Стандартный пакет:
500
Технический паспорт:
N-Channel 650 V 3.6A (Tc) 13.2W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (5x6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Transphorm | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 3-PQFN (5x6) | |
| Базовый номер продукта | TP65H480 | |
| Технологии | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3.6A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 8V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560mOhm @ 3.4A, 8V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.8V @ 500µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 9 nC @ 8 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 3-SMD, Flat Lead | |
| VGS (макс.) | ±18V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 760 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 13.2W (Tc) | |
| Другие имена | 1707-TP65H480G4JSG-TR 1707-TP65H480G4JSG-DKR 1707-TP65H480G4JSG-CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STD8N60DM2STMicroelectronics
NV6125Navitas Semiconductor, Inc.
STD15N50M2AGSTMicroelectronics
TP65H050WSQATransphorm
EPC2019EPC
IPL60R285P7AUMA1Infineon Technologies- TP65H015G5WSTransphorm
G3R350MT12DGeneSiC Semiconductor
TP65H070LDGTransphorm
EPC2012CEPC
TPH3206PSTransphorm
IPD60R360P7ATMA1Infineon Technologies
TP90H050WSTransphorm
G3R350MT12JGeneSiC Semiconductor- TP65H300G4LSGTransphorm
