IPD60R360P7ATMA1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3
Базовый номер продукта	IPD60R360
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	CoolMOS™ P7
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	9A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 140µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	13 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	600 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	555 pF @ 400 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	41W (Tc)
Другие имена	2156-IPD60R360P7ATMA1 SP001606048 IPD60R360P7ATMA1CT IPD60R360P7ATMA1DKR IPD60R360P7ATMA1TR IFEINFIPD60R360P7ATMA1