EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
НОВА часть #:
312-2263134-EPC2019
Производитель:
Номер детали производителя:
EPC2019
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 200 V 8.5A (Ta) - Surface Mount Die
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | EPC | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | Die | |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Ряд | eGaN® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8.5A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 7A, 5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 1.5mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 2.5 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | Die | |
| VGS (макс.) | +6V, -4V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 270 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | - | |
| Другие имена | 917-1087-1 917-1087-2 917-1087-6 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- LMG1020YFFRTexas Instruments
- EPC2036EPC
- LMG1210RVRRTexas Instruments
- MAX9111EKA+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
- DFLS2100Q-7Diodes Incorporated
- EPC2012CEPC
- LMG1020YFFTTexas Instruments
- UCC27611DRVTTexas Instruments
- EPC2038EPC








