TP65H015G5WS

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

650 V 95 A GAN FET

НОВА часть #:

312-2297731-TP65H015G5WS

Производитель:

Номер детали производителя:

TP65H015G5WS

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

N-Channel 650 V 93A (Tc) 266W (Tc) Through Hole TO-247-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Transphorm
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-247-3
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Ряд	SuperGaN™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	93A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4.8V @ 2mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	100 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-247-3
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	650 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	5218 pF @ 400 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	266W (Tc)
Другие имена	1707-TP65H015G5WS