TP65H050WSQA

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

GANFET N-CH 650V 36A TO247-3

НОВА часть #:

312-2264987-TP65H050WSQA

Производитель:

Номер детали производителя:

TP65H050WSQA

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

N-Channel 650 V 36A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Transphorm
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-247-3
Базовый номер продукта	TP65H050
Технологии	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Ряд	Automotive, AEC-Q101
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	36A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4.8V @ 700µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-247-3
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	650 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1000 pF @ 400 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	150W (Tc)
Другие имена	1707-TP65H050WSQA