STD15N50M2AG
MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK
НОВА часть #:
312-2273154-STD15N50M2AG
Производитель:
Номер детали производителя:
STD15N50M2AG
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 500 V 10A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D-PAK (TO-252) | |
| Базовый номер продукта | STD15 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ M2 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 10A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 500 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 530 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 85W (Tc) | |
| Другие имена | 497-17880-1 497-17880-2 497-17880-6 STD15N50M2AG-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SIHD12N50E-GE3Vishay Siliconix
SQD10950E_GE3Vishay Siliconix
STD12N50DM2STMicroelectronics- STD18NF25STMicroelectronics
NTD360N65S3Honsemi
MSJU11N65-TPMicro Commercial Co- STD8N60DM2STMicroelectronics
- IRFR420ATRPBFVishay Siliconix
SQJQ160E-T1_GE3Vishay Siliconix- SQD10N30-330H_GE3Vishay Siliconix
BSS8402DW-7-FDiodes Incorporated
IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon Technologies
TP65H480G4JSG-TRTransphorm- SQJQ112E-T1_GE3Vishay Siliconix
- STD8NM50NSTMicroelectronics
