G3R350MT12J
SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
НОВА часть #:
312-2263417-G3R350MT12J
Производитель:
Номер детали производителя:
G3R350MT12J
Стандартный пакет:
50
Технический паспорт:
N-Channel 1200 V 11A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-263-7
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-263-7 | |
| Базовый номер продукта | G3R350 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | G3R™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 11A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 4A, 15V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.69V @ 2mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 12 nC @ 15 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| VGS (макс.) | ±15V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 334 pF @ 800 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 75W (Tc) | |
| Другие имена | 1242-G3R350MT12J |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IMW120R220M1HXKSA1Infineon Technologies
IMW120R350M1HXKSA1Infineon Technologies
G2R1000MT33JGeneSiC Semiconductor
UF3C120400K3SUnitedSiC
G3R350MT12DGeneSiC Semiconductor
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon Technologies
TP65H480G4JSG-TRTransphorm- G2R1000MT17DGeneSiC Semiconductor
C2M1000170JWolfspeed, Inc.- G3R160MT12DGeneSiC Semiconductor
TP65H300G4LSGTransphorm