SIR624DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2280682-SIR624DP-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIR624DP-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 200 V 18.6A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SIR624 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | ThunderFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 18.6A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 23 nC @ 7.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1110 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 52W (Tc) | |
| Другие имена | SIR624DP-T1-GE3TR SIR624DP-T1-GE3DKR SIR624DP-T1-GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SISS98DN-T1-GE3Vishay Siliconix
TPN1110ENH,L1QToshiba Semiconductor and Storage
SI7172ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
SIR616DP-T1-GE3Vishay Siliconix
BSC12DN20NS3GATMA1Infineon Technologies
SQJ872EP-T1_GE3Vishay Siliconix
SQJ431EP-T1_GE3Vishay Siliconix- BSZ900N15NS3GATMA1Infineon Technologies
- BSC900N20NS3GATMA1Infineon Technologies
SQSA70CENW-T1_GE3Vishay Siliconix- SQJ454EP-T1_GE3Vishay Siliconix
- SI7190DP-T1-GE3Vishay Siliconix
BSC500N20NS3GATMA1Infineon Technologies- SI7172DP-T1-GE3Vishay Siliconix