SI7172ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2275071-SI7172ADP-T1-RE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI7172ADP-T1-RE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 200 V 5.3A (Ta), 17.2A (Tc) - Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 125°C | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SI7172 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 5.3A (Ta), 17.2A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 19.5 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | - | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1110 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | - | |
| Другие имена | SI7172ADP-T1-RE3DKR SI7172ADP-RE3 SI7172ADP-T1-RE3CT SI7172ADP-T1-RE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SISS98DN-T1-GE3Vishay Siliconix
SIR610DP-T1-RE3Vishay Siliconix
FDD86252onsemi
AON7810Alpha & Omega Semiconductor Inc.
SIR624DP-T1-GE3Vishay Siliconix
BSC670N25NSFDATMA1Infineon Technologies- SI7450DP-T1-GE3Vishay Siliconix
BSC160N15NS5ATMA1Infineon Technologies- SIR616DP-T1-GE3Vishay Siliconix
S1951-46RHarwin Inc.- BSC12DN20NS3GATMA1Infineon Technologies
- BSC900N20NS3GATMA1Infineon Technologies
- BSC350N20NSFDATMA1Infineon Technologies
TPH1110FNH,L1QToshiba Semiconductor and Storage- SIR872DP-T1-GE3Vishay Siliconix
