BSC500N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
НОВА часть #:
312-2282033-BSC500N20NS3GATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC500N20NS3GATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 200 V 24A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-1 | |
| Базовый номер продукта | BSC500 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 24A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 22A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 60µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1580 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 96W (Tc) | |
| Другие имена | BSC500N20NS3GATMA1TR SP000998292 BSC500N20NS3GATMA1CT BSC500N20NS3GATMA1DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BTS452RATMA1Infineon Technologies
SIR624DP-T1-GE3Vishay Siliconix
ST3222BTRSTMicroelectronics
CPC1106NTRIXYS Integrated Circuits Division
TPS92515AHVQDGQRQ1Texas Instruments- TLE42754DATMA1Infineon Technologies
BSC160N10NS3GATMA1Infineon Technologies
SML-P24MUWT86RRohm Semiconductor
BSC900N20NS3GATMA1Infineon Technologies- BSC360N15NS3GATMA1Infineon Technologies
- BSC350N20NSFDATMA1Infineon Technologies
- BSC320N20NS3GATMA1Infineon Technologies
- BSZ520N15NS3GATMA1Infineon Technologies
