SIR616DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2287994-SIR616DP-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIR616DP-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 200 V 20.2A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SIR616 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | ThunderFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 20.2A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50.5mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 28 nC @ 7.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1450 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 52W (Tc) | |
| Другие имена | SIR616DP-T1-GE3CT SIR616DP-T1-GE3DKR SIR616DP-T1-GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SIR690DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SISS98DN-T1-GE3Vishay Siliconix
SIR610DP-T1-RE3Vishay Siliconix- SIR624DP-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI7172ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
SQJ872EP-T1_GE3Vishay Siliconix
BSC900N20NS3GATMA1Infineon Technologies
BSC350N20NSFDATMA1Infineon Technologies- BSC500N20NS3GATMA1Infineon Technologies