SQJ431EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2282814-SQJ431EP-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQJ431EP-T1_GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 200 V 12A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SQJ431 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 12A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 213mOhm @ 1A, 4V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 160 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4355 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 83W (Tc) | |
| Другие имена | SQJ431EP-T1_GE3CT SQJ431EP-T1_GE3TR SQJ431EP-T1_GE3DKR |
In stock Нужно больше?
3,37280 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
INA286AIDRTexas Instruments
AUIRFR6215Infineon Technologies
NSS1C301ET4Gonsemi
SIR624DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SIR873DP-T1-GE3Vishay Siliconix
FMMT597TADiodes Incorporated- SI7431DP-T1-E3Vishay Siliconix
SQJ431AEP-T1_GE3Vishay Siliconix
SQJ454EP-T1_GE3Vishay Siliconix
SIR871DP-T1-GE3Vishay Siliconix
CMOZ3V6 TR PBFREECentral Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFM000Cypress Semiconductor Corp- SI7137DP-T1-GE3Vishay Siliconix
BSS131H6327XTSA1Infineon Technologies
