SI7172DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2279694-SI7172DP-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI7172DP-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 200 V 25A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SI7172 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 25A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 5.9A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 77 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2250 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 5.4W (Ta), 96W (Tc) | |
| Другие имена | SI7172DP-T1-GE3CT SI7172DP-T1-GE3DKR SI7172DPT1GE3 SI7172DP-T1-GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
LM317LMX/NOPBTexas Instruments
SIR610DP-T1-RE3Vishay Siliconix
MMBT3906WT1Gonsemi
G2RL-1-E-HA DC12 BY OMBOmron Electronics Inc-EMC Div
SIR624DP-T1-GE3Vishay Siliconix
BSC670N25NSFDATMA1Infineon Technologies
BZX84C7V5LT1Gonsemi- SI7172ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
- SI7450DP-T1-GE3Vishay Siliconix
FDN337Nonsemi
ECASD60E477M006K00Murata Electronics- BSC350N20NSFDATMA1Infineon Technologies
FZT956TADiodes Incorporated
LTST-C193KRKT-5ALite-On Inc.
OPA4313IPWRTexas Instruments
