BSZ900N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
НОВА часть #:
312-2281367-BSZ900N15NS3GATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSZ900N15NS3GATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 150 V 13A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TSDSON-8 | |
| Базовый номер продукта | BSZ900 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 13A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 8V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 20µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 7 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 510 pF @ 75 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 38W (Tc) | |
| Другие имена | BSZ900N15NS3 G BSZ900N15NS3 GCT-ND BSZ900N15NS3GATMA1TR BSZ900N15NS3 GCT BSZ900N15NS3 GDKR BSZ900N15NS3GATMA1DKR BSZ900N15NS3GATMA1CT BSZ900N15NS3 GDKR-ND SP000677866 BSZ900N15NS3 GTR-ND BSZ900N15NS3 G-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SDM1100LP-7Diodes Incorporated
SISS98DN-T1-GE3Vishay Siliconix
PNE20020ERXNexperia USA Inc.
CMAD4448 TR PBFREECentral Semiconductor Corp
MD1210K6-GMicrochip Technology
BZX884B5V1L-HG3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BSC900N20NS3GATMA1Infineon Technologies
BZX384-B47,115Nexperia USA Inc.
DFLS1200Q-7Diodes Incorporated
SI7322ADN-T1-GE3Vishay Siliconix- IRFHM3911TRPBFInfineon Technologies
