NTAT6H406NT4G
MOSFET N-CH 80V 175A ATPAK
НОВА часть #:
312-2306515-NTAT6H406NT4G
Производитель:
Номер детали производителя:
NTAT6H406NT4G
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 80 V 175A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount DPAK/ATPAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DPAK/ATPAK | |
| Базовый номер продукта | NTAT6 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 175A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 8040 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 90W (Tc) | |
| Другие имена | 2156-NTAT6H406NT4G-OS ONSONSNTAT6H406NT4G |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDD86369onsemi
FDBL0330N80onsemi
SIR680ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
IAUS300N08S5N012TATMA1Infineon Technologies
IPD034N06N3GATMA1Infineon Technologies
TK5R1P08QM,RQToshiba Semiconductor and Storage- NP90N055VUK-E1-AYRenesas Electronics America Inc
IPI120N06S402AKSA2Infineon Technologies- TK1R4S04PB,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
IAUS200N08S5N023ATMA1Infineon Technologies- NVD5C434NT4Gonsemi
NTMFS6B03NT3Gonsemi- IAUS240N08S5N019ATMA1Infineon Technologies
SQJQ112E-T1_GE3Vishay Siliconix
SQJ180EP-T1_GE3Vishay Siliconix
