NTMFS6B03NT3G
MOSFET N-CH 100V 19A/132A 5DFN
НОВА часть #:
312-2311486-NTMFS6B03NT3G
Производитель:
Номер детали производителя:
NTMFS6B03NT3G
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 19A (Ta), 132A (Tc) 3.4W (Ta), 165W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
| Базовый номер продукта | NTMFS6 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 19A (Ta), 132A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 58 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN, 5 Leads | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4200 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.4W (Ta), 165W (Tc) | |
| Другие имена | ONSONSNTMFS6B03NT3G 2156-NTMFS6B03NT3G-OS |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NTAT6H406NT4Gonsemi
DMN10H120SFG-7Diodes Incorporated
NTMFS5C670NLT1Gonsemi
BSC160N10NS3GATMA1Infineon Technologies
IRL530NSTRLPBFInfineon Technologies- IRL540NSTRLPBFInfineon Technologies
FDMS86350onsemi
NVMFS6H818NT1Gonsemi- NVMFS6B05NLT1Gonsemi
- NTD6416ANT4Gonsemi
- NTMFS3D6N10MCLT1Gonsemi
DI100N10PQDiotec Semiconductor
BSC0802LSATMA1Infineon Technologies
IAUC100N10S5N040ATMA1Infineon Technologies
AUIRFS4010-7TRLInternational Rectifier
