NVD5C434NT4G
MOSFET N-CHANNEL 40V 163A DPAK
НОВА часть #:
312-2279415-NVD5C434NT4G
Производитель:
Номер детали производителя:
NVD5C434NT4G
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 163A (Tc) 117W (Tc) Surface Mount DPAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DPAK | |
| Базовый номер продукта | NVD5C434 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 163A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 80.6 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5400 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 117W (Tc) | |
| Другие имена | NVD5C434NT4GOSCT NVD5C434NT4GOSTR NVD5C434NT4GOSDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NTAT6H406NT4Gonsemi
TK100S04N1L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage- FDD8444onsemi
- TK1R4S04PB,LXHQToshiba Semiconductor and Storage