SQJ180EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
НОВА часть #:
312-2295735-SQJ180EP-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQJ180EP-T1_GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 80 V 248A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 248A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 117 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6645 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 500W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SQJ180EP-T1_GE3CT 742-SQJ180EP-T1_GE3DKR 742-SQJ180EP-T1_GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NTAT6H406NT4Gonsemi
NVMYS3D3N06CLTWGonsemi
SQJQ480E-T1_GE3Vishay Siliconix
SQJQ160E-T1_GE3Vishay Siliconix
NTMTS001N06CLTXGonsemi
SUM80090E-GE3Vishay Siliconix
IAUS200N08S5N023ATMA1Infineon Technologies
FDBL0210N80onsemi- IAUS240N08S5N019ATMA1Infineon Technologies
- SQJQ112E-T1_GE3Vishay Siliconix
NVMJS2D5N06CLTWGonsemi