IPD034N06N3GATMA1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3
Базовый номер продукта	IPD034
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	100A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 93µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	130 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	11000 pF @ 30 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	167W (Tc)
Другие имена	IPD034N06N3 GINTR-ND SP000451070 IPD034N06N3 GINCT IPD034N06N3 GINCT-ND IPD034N06N3 G-ND IPD034N06N3 GINDKR IPD034N06N3GATMA1CT IPD034N06N3 GINDKR-ND IPD034N06N3GATMA1TR IPD034N06N3 G IPD034N06N3G IPD034N06N3GATMA1DKR