SIR680ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 30.7A/125A PPAK
НОВА часть #:
312-2281855-SIR680ADP-T1-RE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIR680ADP-T1-RE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 80 V 30.7A (Ta), 125A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SIR680 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® Gen IV | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 30.7A (Ta), 125A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.88mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 83 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4415 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SIR680ADP-T1-RE3DKR 742-SIR680ADP-T1-RE3CT 742-SIR680ADP-T1-RE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NTAT6H406NT4Gonsemi
BQ7695202PFBRTexas Instruments
SIR580DP-T1-RE3Vishay Siliconix
MAX4080SASA+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
SIR120DP-T1-RE3Vishay Siliconix- SIR880ADP-T1-GE3Vishay Siliconix
TP0610K-T1-E3Vishay Siliconix
FCX495TADiodes Incorporated
PMBT5551,235Nexperia USA Inc.
NTR3C21NZT1Gonsemi
IAUC100N10S5N040ATMA1Infineon Technologies
