FDP036N10A
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
НОВА часть #:
312-2263411-FDP036N10A
Производитель:
Номер детали производителя:
FDP036N10A
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 333W (Tc) Through Hole TO-220-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-220-3 | |
| Базовый номер продукта | FDP036 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 120A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 75A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 116 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7295 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 333W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDP4D5N10Consemi
FDP2532onsemi
STP240N10F7STMicroelectronics
IXTP180N10TIXYS
IPP041N12N3GXKSA1Infineon Technologies
FDPF045N10Aonsemi- STP150N10F7STMicroelectronics
PSMN5R0-100PS,127Nexperia USA Inc.
IRFB4110PBFInfineon Technologies- IRF100B201Infineon Technologies
- FDP047N10onsemi
FDP2D3N10CFairchild Semiconductor
SUP70030E-GE3Vishay Siliconix- IPP023N10N5AKSA1Infineon Technologies
