FDP2D3N10C
N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
НОВА часть #:
312-2277473-FDP2D3N10C
Производитель:
Номер детали производителя:
FDP2D3N10C
Стандартный пакет:
1
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 222A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Fairchild Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-220-3 | |
| Базовый номер продукта | FDP2D3 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 222A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 700µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 152 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 11180 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 214W (Tc) | |
| Другие имена | ONSFSCFDP2D3N10C 2156-FDP2D3N10C |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPI030N10N3GXKSA1Infineon Technologies
SUP70030E-GE3Vishay Siliconix