SUP70030E-GE3
MOSFET N-CH 100V 150A TO220AB
НОВА часть #:
312-2264631-SUP70030E-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SUP70030E-GE3
Стандартный пакет:
500
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 150A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-220AB | |
| Базовый номер продукта | SUP70030 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 150A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.18mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 214 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 10870 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 375W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STP240N10F7STMicroelectronics
CSD19536KCSTexas Instruments
SUP70042E-GE3Vishay Siliconix
TK100A10N1,S4XToshiba Semiconductor and Storage
FDP036N10Aonsemi
IRFB4110PBFInfineon Technologies- IRF100B201Infineon Technologies
TK65E10N1,S1XToshiba Semiconductor and Storage- TK100E10N1,S1XToshiba Semiconductor and Storage
FDP2D3N10CFairchild Semiconductor
IPA030N10NF2SXKSA1Infineon Technologies
