IXTP180N10T
MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
НОВА часть #:
312-2264865-IXTP180N10T
Производитель:
Номер детали производителя:
IXTP180N10T
Стандартный пакет:
50
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-220-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-220-3 | |
| Базовый номер продукта | IXTP180 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Trench | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 180A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 151 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6900 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 480W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDP036N10Aonsemi
MJE15033Gonsemi
IRF530NPBFInfineon Technologies
IXTY44N10T-TRLIXYS
1SS355TE-17Rohm Semiconductor- FDP2D3N10CFairchild Semiconductor
FCA35N60onsemi
IXFX180N10IXYS
