FDP2532
MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
НОВА часть #:
312-2263380-FDP2532
Производитель:
Номер детали производителя:
FDP2532
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 150 V 8A (Ta), 79A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-220-3 | |
| Базовый номер продукта | FDP25 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8A (Ta), 79A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 33A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 107 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5870 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 310W (Tc) | |
| Другие имена | 2156-FDP2532-OS FAIFSCFDP2532 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDP075N15A-F102onsemi- FDP036N10Aonsemi
CSD19534KCSTexas Instruments
IRFB4321PBFInfineon Technologies
DMTH10H010LCTDiodes Incorporated- IRFB4228PBFInfineon Technologies
