IXTT90P10P

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 100V 90A TO268

НОВА часть #:

312-2289881-IXTT90P10P

Производитель:

Номер детали производителя:

IXTT90P10P

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

P-Channel 100 V 90A (Tc) 462W (Tc) Surface Mount TO-268AA

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	IXYS
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-268AA
Базовый номер продукта	IXTT90
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	PolarP™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	90A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	120 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	5800 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	462W (Tc)