SUM110P06-08L-E3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
НОВА часть #:
312-2283348-SUM110P06-08L-E3
Производитель:
Номер детали производителя:
SUM110P06-08L-E3
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
P-Channel 60 V 110A (Tc) 3.75W (Ta), 272W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-263 (D²Pak) | |
| Базовый номер продукта | SUM110 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 110A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 240 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 9200 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.75W (Ta), 272W (Tc) | |
| Другие имена | SUM110P06-08L-E3TR SUM110P06-08L-E3DKR SUM110P06-08L-E3CT SUM110P0608LE3 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
ATP304-TL-Honsemi
IXTA120P065TIXYS
SQM120P06-07L_GE3Vishay Siliconix
ADP7142AUJZ-R7Analog Devices Inc.
TJ50S06M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
OPA192IDBVRTexas Instruments- SUM110P06-07L-E3Vishay Siliconix
- SQM110P06-8M9L_GE3Vishay Siliconix
NP50P06KDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc